...and intr-un alt nod.-o bucla care in nodul initial coincide cu cel final-o sectiune care reprezinta o portiune de graf care permite impartirea grafului de incidenta in 2 subgrafuri independente.Laturile grafului de incidenta se orienteaza in functie de sensul curentilor prin laturile circuitului initial.Matricea de incidenta laturi, noduriNotata iA0s si se caracterizeaza prin nr liniilor-nr nodurilorsi nr coloanelor- nr laturilorElementele acestei matrici pot fi 1 daca latura este incidenta in nod si curentul iese din nod, -1 daca latura este incidenta si curentul intra in nod, 0 daca latura nu este incidenta nodului.Matricea laturi-noduri se obtine din iA0s prin eliminarea oricarei linii. iAs-In-1 x lSiBs- matricea de incidenta laturi ochiuri independente are nr de liniinr ochiurilor independente si coloanelenr laturilor.Elementele acestei matrici pot fi 1 daca latura apartine ochiului si este parcursa in acelasi sens cu sensul arbitrar curentului acestuia, -1 daca latura apartine ochiului si este parcursa in sens contrar, 0 daca latura nu apartine nodului.Matricile de incidenta sunt utilizate pt scrierea teoremelor lui Kircopf si Ohm in forma matriciala.Parametrii circuitelor liniare de curent alternativD.T. EMBED Equation.3 In cazul cand fazele incidente a celor doua semnale sunt diferite raportul celor doua valori instantanee utIt variabil in timp si deci nu poate caracteriza structura interna a dipolului. Aceasta structura poate fi caracterizate cu ajutorul unor perechi de marimi ZUI-impedanta, si u-i - defazaj.y-admitanta electricaIU.Daca cele doua semnale se reprezinta in domeniul complex acestea pot fi scrise astfelD.C. EMBED Equation.3 Daca tens se conecteaza pe directia curentului si pe directia perpendiculara, se poate defini componenta activa respectiv componenta reactiva a tensiunii Ua Ucos , Ur Usin.Pot fi definite componenta activa si cmponenta reactiva a curentului Ia Icos , Ir Isin.Pot fi definiti urmatorii parametri R-rezistenta si X-reactanta EMBED Equation.3 si pot caracteriza structura interna a unui dipol in c.a. EMBED Equation.3 G-conductanta si B-susceptanta EMBED Equation.3 G si B formeaza o alta pereche ce caracterizeaza structura interna a unui dipol in c.a. EMBED Equation.3 In D.C. structura dipolului poate fi caracterizata printr-un singur parametru impedanta complexa sau admitanta.D.C. EMBED Equation.3 Conform parametrilor definiti anterior dipolul prezentat poate fi reprezentat in c.a. sub forma unor scheme echivalente.utit D.L.9LSaaoaa lmsajCJUVaJCJHOJaQJamHnHujgCJOJaQJamH
nHujtCJOJaQJamHnHuajCJEHOJaQJaUmHnHuajCJUVaJCJOJaQJ
amHnHu ajCJOJaQJaUmHnHuCJHOJaQJaCJOJaQJa5CJOJaQJat,hISp9o
g7aaFaaaaaaaaa -.45isastuiajCJUVaJaj7CJEHOJaQJaUmHnHuajCJUVaJajs
CJEHOJaQJaUmHnHuajtCJUVaJjtCJOJaQJamHnHuCJHOJaQJamH
nHuCJOJaQJamHnHu ajCJOJaQJaUmHnHuajaCJEHOJaQJaUmHnHu7isiaaaatuvIaa
itopqramHsHCJOJaQJaajCJEHaOJaQJaUmHnHuajCJUVaJajCJE
HOJaQJaUmHnHuajCJUVaJCJOJaQJamHnHu ajCJOJaQJaUmHnHuajCJEHOJaQJaUmHnHuaaaaa,1h. A!aDd aaaJCAa2daaHiDa!8aH8...
Download