...ce in tranzistorul bipolar tip n-p-n si curentii lui . . . . . . . . . . . . . . . 5Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8Schemele echivalente in t ale tranzistorului bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13Parametrii hibrizi h- ale tranzistorului bipolar. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16Trasarea dreptei de sarcina. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19Functionarea tranzistorului bipolar in regim de cheie electronica. . . . . . . . . . . .21Functionarea tranzistorului bipolar la frecvente inalte. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26 Parametrii de baza a tranzistorului bipolar KT 616 A. . . . . . . . . . . . . . . . . .. 28Utilizarea tranzistorului bipolar KT 616 in scheme electronice. . . . . . . . . . . . 29Bibliografie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 Mod Coala N document Semnat DataA elaborat Harea D. Litera Coala ColiA verificat Bejan N. Tranzistorul KT - 616 I 2 27 U.T.M. Facultatea de radioelectronica, gr.TLC-0111. Notiuni de baza Tranzistorul cu jonctiuni reprezinta un dispozitiv care se efectueaza dintr-un monocristal de Ge germaniu sau Si siliciu si in care prin impurificare se creeaza trei regiuni alternativ dopate, despartite prin doua suprafete de separatie.Se numesc emitor si respectiv colector regiunile de la extremitati care au acelasi tip de conductibilitate ambele p sau ambele n. Baza este numita regiunea centrala care are o conductibilitate opusa fata de extremitati. Pe suprafata fiecareia din cele trei regiuni se depune cite un strat metalic de contact pe care se sudeaza firele de conexiune. La un tranzistor cu jonctiuni, jonctiunea emitor baza se numeste jonctiunea emitor, iar jonctiunea colector baza se numeste jonctiunea colector. In mod normal jonctiunea emitorului este polarizata direct, iar jonctiunea colectorului este polarizata invers. Acest regim de lucru prezinta regimul activ normal.In functie de dopare a conexiunilor se deosebesc doua tipuri de tranzistoarede tip p-n-p emitorul si colectorul sunt de tip p, iar baza este de tip nde tip n-p-n emitorul si colectorul sunt de tip n, iar baza este de tip pIn fig.1.1 sunt aratate structurile simplificate ale tranzistoarelor de tip p-n-p si n-p-n si reprezentarile lor grafice.abFig.1.12. Tehnologia de fabricare a tranzistorului bipolarKT 616 Tranzistoarele bipolare se fabrica pe baza germaniului, siliciului si arsenurii de galiu. Cea mai larga utilizare o are germaniul si siliciu. Metodele tehnologice permit de a fabrica tranzistorul in asa mod ca sa se realizeze intr-o masura oarecare cerintele pentru parametrii maximi admisibili.La etapa actuala se utilizeaza urmatoarele metode de fabricare ale tranzistoarelor metoda de aliere, metoda de difuzie, metoda planara, epitaxial-planara si mesa-planara.Tranzistorul KT 616 reprezinta un tranzistor din siliciu Si de tip n-p-n. Tranzistorul dat se fabrica prin metoda epitaxial planara.Metoda epitaxial-planara se bazeaza pe metoda planara. Deci, pentru inceput vom analiza metoda planara de fabricare a tranzistoarelor.Se ia o placheta de monocristal din siliciu Si tip-n, care in structura rezultanta va reprezinta colectorul. Pe aceasta placheta peste prima masca de oxid se efectueaza difuzia acceptorului de obicei bor si se primeste stratul p al bazei. Apoi peste a doua masca se face difuzia donorilor de obicei fosfor astfel primim stratul emitorului. In sfarsit cu ajutorul celei de-a treia masti de oxid se conecteaza contactele ohmice din aluminiu la t...
Download